本发明涉及一种低膨胀堇青石晶体耐磨全抛釉陶瓷砖及其制备方法，属于陶瓷砖生产制造。

　　1、传统陶瓷坯体配方主要是以si-al-k-na配方体系为主，该种配方体系烧制后主要形成石英、莫来石、玻璃相，坯体膨胀系数较高(8～10×10-6/k)。通过cj/t157-2017“家用燃气灶具用途层钢化玻璃面板”检测现有传统坯体配方烧制的陶瓷板一次开裂，抗热震性较差。

　　2、当前，采用低膨胀陶瓷岩板膨胀系数低、抗热震性好，可以用于炉具、燃气灶面板等。但是，由于低膨胀陶瓷岩板坯体膨胀系数低，而现有的釉料一般膨胀系数较大，所以现有高膨胀系数的釉料无法与低膨胀岩板坯体很好地进行匹配，往往只能采取数码釉降低喷釉量的方式来制备哑光系列的产品。

　　1、鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种低膨胀堇青石晶体耐磨全抛釉陶瓷砖及其制备方法。

　　2、第一方面，本发明提供了一种低膨胀堇青石晶体耐磨全抛釉陶瓷砖的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：

　　11、较佳地，所述第一道低膨胀耐磨全抛釉的始融温度为1110～1140℃，第一道低膨胀耐磨全抛釉的热膨胀系数为3.5-5×10-6/k(600～20℃)。

　　12、较佳地，所述第一道低膨胀耐磨全抛釉的施加方式为喷釉，比重为1.3-1.6，施釉量为150-250g/m2。

　　14、较佳地，所述第二道低膨胀耐磨全抛釉的始融温度为1060～1110℃，第二道低膨胀耐磨全抛釉的热膨胀系数为5-5.5×10-6/k(600～20℃)。

　　15、较佳地，所述第二道低膨胀耐磨全抛釉的施加方式为喷釉，比重为1.3-1.6，施釉量为250-350g/m2。

　　16、较佳地，所述最高烧成温度为1150～1170℃，烧成时间为60-80min。

　　17、第二方bibo必博官网面，本发明提供了一种根据上述制备方法得到低膨胀堇青石晶体耐磨全抛釉陶瓷砖。

　　19、本发明通过外加堇青石和原位生成堇青石的方式降低膨胀系数，且由于堇青石的硬度高(硬度7.5)且和玻璃具有相近的折射率，对抛釉的透明性影响较小，使得透明全抛釉具有较低的膨胀系数与耐磨性。与此同时，本发明还通过二次喷透明全抛釉的方式解决了传统低膨胀陶瓷砖透感差的问题。通过本发明提供的制备方法得到的全抛釉陶瓷砖坯釉的结合性较好，膨胀系数低，耐磨性、透感较佳。

　　1.一种低膨胀堇青石晶体耐磨全抛釉陶瓷砖的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

　　3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述第一道低膨胀耐磨全抛釉的化学组成包括：以质量百分比计，sio2：40-45％、al2o3：25-30％、cao：2-4％、mgo：9-10％、k2o：0.2-1％、zno：1-5％、bao：3-7％、p2o5：2-4％、b2o3：1-3％。

　　4.根据权利要求1-3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一道低膨胀耐磨全抛釉的始融温度为1110～1140℃，第一道低膨胀耐磨全抛釉的热膨胀系数为3.5-5×10-6/k(600～20℃)。

　　5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一道低膨胀耐磨全抛釉的施加方式为喷釉，比重为1.3-1.6，施釉量为150-250g/m2。

　　7.根据权利要求1-6中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第二道低膨胀耐磨全抛釉的始融温度为1060～1110℃，第二道低膨胀耐磨全抛釉的热膨胀系数为5-5.5×10-6/k(600～20℃)。

　　8.根据权利要求1-7中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第二道低膨胀耐磨全抛釉的施加方式为喷釉，比重为1.3-1.6，施釉量为250-350g/m2。

　　9.根据权利要求1-8中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述最高烧成温度为1150～1170℃，烧成时间为60-80min。

　　10.一种根据权利要求1-9中任一项所述的制备方法得到低膨胀堇青石晶体耐磨全抛釉陶瓷砖。

　　本发明涉及一种低膨胀堇青石晶体耐磨全抛釉陶瓷砖及其制备方法。所述低膨胀堇青石晶体耐磨全抛釉陶瓷砖的制备方法包括以下步骤：在砖坯表面施加面釉；在施加面釉后的砖坯表面喷墨打印图案；在喷墨打印图案后的砖坯表面施第一道低膨胀耐磨全抛釉；在施第一道低膨胀耐磨全抛釉的坯体表面施第二道低膨胀耐磨全抛釉；烧成，得到所述低膨胀堇青石晶体耐磨全抛釉陶瓷砖。

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